摘要:
本文从EISCAT探测资料分析确认,沉降粒子对极光区电离层的电离生成率有极重要的作用,但高能和低能粒子的有效电离高度范围完全不同,另一方面,磁层对流的增强却常使F层电子密度N下降,1985年1月28~29日期间出现N(E层)N(F层),且147km以上N随高度增加而下降的典型扰动剖面。这是高能粒子和强磁层对流共同作用的结果。1993年2月16~17日期间,中午前后NmF异常地增大,而N(E层)却无明显变化。这是与前者特征不同的另一类典型剖面。磁层内低能粒子(能量小于1keV)从极隙区沉降直抵电离层是使F层电子密度剧增的物理机制